IGBT絕緣柵雙極晶體管電源是雙極型晶體管BIT和MOSFET晶體管的復合。雙極晶體管飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流也大;而MOSFET晶體管為電壓驅動型,它的驅動功率小,載流密度小,開關速度快,導通壓降大。ICBT晶體管綜合了兩種器件的優點,成為驅動功率小而飽和壓降低、 導通損耗小的新型器件。
IGBT晶體管電源與晶閘管中頻電源相比,它的工作頻率比晶閘管高,可達100kHz。它的效率也比晶閘管略高。因此,它既是超音頻電源,也可作中頻電源,它能完全取代真空管式超音頻電源,還能代替一部分晶閘管電源,它的發展前途比晶閘管更為廣闊。如圖所示為IGBT晶體管電源電壓型串聯諧振式逆變器。
鄭州日佳采用德國進口IGBT逆變,尺寸小,高耐壓,IGBT具有很大的輸入電阻和較小的輸入電容,則驅動功率低,開關速度高,工作頻率可以達到200kHz。在正常工作時,導通電阻較低,增大了器件的電流容量。使得日佳感應加熱設備的壽命大大增加,且功耗降低,安全節能環保。

