IGBT模塊介紹

IGBT絕緣柵雙極晶體管電源是雙極型晶體管BIT和MOSFET晶體管的復合。雙極晶體管飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流也大;而MOSFET晶體管為電壓驅動型，它的驅動功率小，載流密度小，開關速度快，導通壓降大。ICBT晶體管綜合了兩種器件的優點，成為驅動功率小而飽和壓降低、導通損耗小的新型器件。

IGBT晶體管電源與晶閘管中頻電源相比，它的工作頻率比晶閘管高，可達100kHz。它的效率也比晶閘管略高。因此，它既是超音頻電源，也可作中頻電源，它能完全取代真空管式超音頻電源，還能代替一部分晶閘管電源，它的發展前途比晶閘管更為廣闊。

鄭州日佳感應加熱設備，IGBT采用的是德國西門子旗下的英飛凌*新一代的產品，其耐壓值高，且所能承受的頻率能達到200k以上。由于日佳設備的高要求，因此長期進口這種高質量產品。